长禾实验室检测能力范围 |
1 |
功率金属氧化物场效应管 |
1 |
漏源间反向击穿电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
2 |
通态电阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 |
只测: 0~10kΩ,,0~1500A |
3 |
阈值电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 |
只测: -10V~10V |
4 |
漏反向电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 |
只测: -100mA~100mA |
5 |
栅漏电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 |
只测: -100mA~101mA |
6 |
体二管压降 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 |
只测: 0A~1500A |
7 |
跨导 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 |
只测: 1ms~1000s |
8 |
开关时间 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 |
只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A |
9 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 |
只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A |
10 |
体二管反向恢复时间 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 |
只测: 10ns~2µs |
11 |
体二管反向恢复电荷 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 |
只测: 1nC~100µC |
12 |
栅电荷 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 |
只测: Qg:0.5nC~500nC |
13 |
单脉冲雪崩能量 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 |
只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A |
14 |
栅串联等效电阻 |
功率MOSFET栅串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) |
只测: 0.1Ω~50Ω |
15 |
稳态热阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 |
只测: Ph:0.1W~250W |
16 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 |
只测: Ph:0.1W~250W |
17 |
输入电容 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
18 |
输出电容 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
19 |
反向传输电容 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
20 |
老炼试验 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 |
只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃ |
21 |
温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 |
只测: HTRB和HTGB试验 |
22 |
间歇功率试验 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 |
只测: 条件D(间歇功率) |
23 |
稳态功率试验 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 |
只测: 条件C(稳态功率) |
2 |
二管 |
1 |
反向漏电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4 |
只测: 0~100mA |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 |
只测: 0~100mA |
2 |
反向击穿电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2 |
只测: 0~3.5kV |
3 |
正向压降 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 |
只测: IS:0A~6000A |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 |
只测: IS:0A~6000A |
4 |
浪涌电流 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066 |
只测: If:0A~9000A |
5 |
反向恢复电荷 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 |
只测: 1nC~100µC |
反向恢复时间 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 |
只测: 10ns~2us |
6 |
二管反压变化率 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476 |
只测: VR:5V~3300V, IF:1A~1500A |
7 |
单脉冲雪崩能量 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064 |
只测: L:0.01mH~159.9mH, IAS:0.1A~1500A |
稳态热阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136 |
只测: Ph:0.1W~80W |
8 |
总电容电荷 |
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
9 |
结电容 |
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
3 |
晶闸管 |
1 |
门触发电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 |
只测: 100nA~500mA |
2 |
门触发电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 |
只测: 5mV~5V |
3 |
维持电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 |
只测: 10µA~1.5A |
4 |
擎住电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 |
只测: 10µA~1.5A |
5 |
浪涌电流 |
半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013 |
只测: ITSM:0A~9000A |
6 |
正向漏电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1 |
只测: 1nA~100mA |
7 |
反向漏电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1 |
只测: 1nA~100mA |
8 |
正向导通压降 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1 |
只测: IT:0~6000A |
9 |
稳态热阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181 |
只测: Ph:0.1W~250W |
4 |
晶体管 |
1 |
直流增益 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1 |
只测: 1~50000 |
2 |
集射饱和压降 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071 |
只测: 0~1250A |
3 |
集射电关态电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1 |
只测: 0~100mA |
4 |
集基电关态电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1 |
只测: 0~100mA |
5 |
射基关态电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1 |
只测: 0~100mA |
6 |
集射反向击穿电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
7 |
集基反向击穿电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
8 |
射基反向击穿电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
9 |
基射电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 |
只测: 0V~1250A |
10 |
稳态热阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6 |
只测: Ph:0.1W~250W |
5 |
绝缘栅双型晶体管 |
1 |
集射间反向击穿电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 |
只测: -3.5kV~3.5kV |
2 |
通态电压 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1 |
只测: 0~1500A |
3 |
通态电阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 |
只测: 0~10kΩ |
4 |
集电反向漏电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 |
只测: 0~100mA |
5 |
栅漏电流 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 |
只测: 0~100mA |
6 |
跨导 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 |
只测: 1ms~1000s |
7 |
开关时间&损耗 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1 |
只测: VD:5V~3.3kV, ID:0.5A~1500A |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 |
只测: 5V~3.3kV |
8 |
短路耐受时间 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479 |
只测: ISC:10A~5000A , TSC:1us~50us |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 |
只测: 5V~3.3kV |
9 |
栅电荷 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 |
只测: Qg:0.5nC~100uC |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9 |
只测: 5V~3.3kV |
10 |
二管反向恢复时间 |
半导体器件 分立器件 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 |
只测: 5V~3.3kV |
11 |
单脉冲雪崩能量 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 |
只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A |
12 |
栅串联等效电阻 |
功率MOSFET栅串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) |
只测: 0.1Ω~50Ω |
13 |
稳态热阻 |
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103 |
只测: Ph:0.1W~250W |
16 |
输入电容 |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
17 |
输出电容 |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
18 |
反向传输电容 |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 |
只测: -3kV~3kV,0~1MHz |
19 |
反偏安全工作区 |
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5 |
只测: 5V~3.3kV |
6 |
通用电子产品 |
1 |
高低温循环试验 |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051 |
只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm |
温度循环 JESD22-A104E:2014 |
只测: 温度: -80℃~150℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm |
2 |
高温试验 |
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1 |
只测温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1031, 1032 |
只测温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm |
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T 2423.2-2008 |
只测温度:200℃, 容积: 61cm×90cm×60cm |
3 |
低温试验 |
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008 |
只测温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm |
4 |
高温存储寿命试验 |
高温存储寿命试验 JESD22-A103E:2015 |
只测温度:180℃, 容积: 58cm×76cm×75cm |
5 |
低温存储寿命试验 |
低温存储寿命试验 JESD22-A119A:2015 |
只测温度:-70℃, 容积: 40cm×37.5cm×40cm |
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