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点击图片查看原图西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS 认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
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检测项目 |
覆盖产品 |
检测能力 |
参考标准 |
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直流参数 |
MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； |
检测电压：7500V 检测电流：6000A |
国标，IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：2500V 检测电流：200A |
美军标 |
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栅电阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 |
检测阻0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
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开关时间 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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开关时间 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
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反向恢复 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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反向恢复 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
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栅电荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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栅电荷 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
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短路耐量能力 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：1000A |
美军标，国标，IEC等 |
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短路耐量能力 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：10000A |
国标，IEC |
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结电容 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：3000V |
IEC |
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参数曲线扫描 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 |
检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C |
美军标，IEC等 |
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热阻性能 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品 |
功率：250W |
美军标，JEDEC |
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热阻性能 |
IGBT等模块产品 |
功率：4000W |
美军标，JEDEC |
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ESD能力 |
MOSFET、IGBT、IC等产品 |
HBM电压：8000V；MM电压：800V |
美军标，ANSI，JEDEC等 |
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*正向浪涌能力 |
DIODE（Si/SiC）、整流桥 |
检测电流：800A |
美军标，国标 |