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长禾功率器件电参数测试
长禾实验室检测能力范围1功率金属氧化物场效应管1漏源间反向击穿电压半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3407.1只测： -3.
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2021-03-25 |
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大功率IGBT半导体模块测试长禾实验室
IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFE
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2021-03-25 |
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功率器件MOSFET动静态参数测试服务
长禾实验室检测能力范围业务挑战随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大。通常这些
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2021-03-25 |
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长禾实验室sic功率器件测试
长禾实验室检测能力范围业务挑战随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大。通常这些
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2021-03-25 |
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